Comprar Vishay Siliconix SIR610DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

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Hojas de datos

SIR610DP-T1-RE3

MOSFET N-CH 200V 35.4A SO-8

Número de pieza

SIR610DP-T1-RE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SO-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SO-8

Disipación de energía (máx.)

104W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

35.4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 100V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

7.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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