Comprar Vishay Siliconix SIRC06DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V

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Hojas de datos

SIRC06DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V

Número de pieza

SIRC06DP-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® SO-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® SO-8

Disipación de energía (máx.)

5W (Ta), 50W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Schottky Diode (Isolated)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

32A (Ta), 60A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

2.7 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.1V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

58nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2455pF @ 15V

Vgs (máx.)

+20V, -16V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

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