Comprar Vishay Siliconix SIS110DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

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Hojas de datos

SIS110DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212

Número de pieza

SIS110DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8

Disipación de energía (máx.)

3.2W (Ta), 24W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

5.2A (Ta), 14.2A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

54 mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

550pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

7.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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