Comprar Vishay Siliconix SIS612EDNT-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 50A SMT

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Hojas de datos

SIS612EDNT-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 50A SMT

Número de pieza

SIS612EDNT-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8S

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

50A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

3.9 mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

1.2V @ 1mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2060pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

2.5V, 4.5V

Vgs (máx.)

±12V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 44705 PCS

Información del contacto

Productos relacionados

SIS606BDN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212