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SIS776DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8

Número de pieza

SIS776DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

SkyFET®, TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-50°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8

Disipación de energía (máx.)

3.8W (Ta), 52W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Schottky Diode (Body)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

35A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

6.2 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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