Comprar Vishay Siliconix SIS888DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

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Hojas de datos

SIS888DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 20.2A 1212-8S

Número de pieza

SIS888DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TA)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8S

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

52W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

150V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

20.2A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

58 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 75V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

7.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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