Comprar Vishay Siliconix SISS02DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

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Hojas de datos

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Número de pieza

SISS02DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen IV

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8S

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8S

Disipación de energía (máx.)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

25V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

51A (Ta), 80A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

1.2 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.2V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4450pF @ 10V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

+16V, -12V

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