Comprar Vishay Siliconix SISS40DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

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SISS40DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 36.5A PPAK 1212

Número de pieza

SISS40DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

ThunderFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerVDFN

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Disipación de energía (máx.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

36.5A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

21 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

3.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

845pF @ 50V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

6V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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