Comprar Vishay Siliconix SISS67DN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

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Hojas de datos

SISS67DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Número de pieza

SISS67DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen III

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8S

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8S

Disipación de energía (máx.)

65.8W (Tc)

Tipo FET

P-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

60A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

111nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4380pF @ 15V

Vgs (máx.)

±25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

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