Comprar Vishay Siliconix SISS70DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 125V

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SISS70DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V

Número de pieza

SISS70DN-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

PowerPAK® 1212-8S

Paquete de dispositivo del proveedor

PowerPAK® 1212-8S

Disipación de energía (máx.)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

125V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

8.5A (Ta), 31A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

29.8 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 62.5V

Vgs (máx.)

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

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