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SIZ200DT-T1-GE3
MOSFET N-CH DUAL 30V
Número de pieza
SIZ200DT-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza
Active
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Potencia - Máx.
4.3W (Ta), 33W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor
8-PowerPair® (3.3x3.3)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
28nC @ 10V, 30nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V
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