Comprar Vishay Siliconix SIZ300DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

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Hojas de datos

SIZ300DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

Número de pieza

SIZ300DT-T1-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-PowerWDFN

Potencia - Máx.

16.7W, 31W

Paquete de dispositivo del proveedor

8-PowerPair®

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Función FET

Logic Level Gate

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

11A, 28A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

24 mOhm @ 9.8A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 15V

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