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SIZ902DT-T1-GE3

SIZ902DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Número de pieza
SIZ902DT-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Potencia - Máx.
29W, 66W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-PowerPair® (6x5)
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
16A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
790pF @ 15V
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Palabras clave deSIZ902DT-T1-GE3
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