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SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Número de pieza
SIZ926DT-T1-GE3
Fabricante/Marca
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado de la pieza
Active
embalaje
Digi-Reel®
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerWDFN
Potencia - Máx.
20.2W, 40W
Paquete de dispositivo del proveedor
8-PowerPair® (6x5)
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
25V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
40A (Tc), 60A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
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