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SQJ202EP-T1_GE3

SQJ202EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 12V 20A/60A PPAK SO
Número de pieza
SQJ202EP-T1_GE3
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
PowerPAK® SO-8 Dual
Potencia - Máx.
27W, 48W
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
20A, 60A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
975pF @ 6V
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