La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
SQJQ100EL-T1_GE3

SQJQ100EL-T1_GE3

MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Número de pieza
SQJQ100EL-T1_GE3
Fabricante/Marca
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivo del proveedor
PowerPAK® 8 x 8
Disipación de energía (máx.)
150W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
40V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
200A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.2 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
14500pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 15943 PCS
Información del contacto
Palabras clave deSQJQ100EL-T1_GE3
SQJQ100EL-T1_GE3 Componentes electrónicos
SQJQ100EL-T1_GE3 Ventas
SQJQ100EL-T1_GE3 Proveedor
SQJQ100EL-T1_GE3 Distribuidor
SQJQ100EL-T1_GE3 Tabla de datos
SQJQ100EL-T1_GE3 Fotos
SQJQ100EL-T1_GE3 Precio
SQJQ100EL-T1_GE3 Oferta
SQJQ100EL-T1_GE3 El precio más bajo
SQJQ100EL-T1_GE3 Buscar
SQJQ100EL-T1_GE3 Adquisitivo
SQJQ100EL-T1_GE3 Chip