Comprar Vishay Siliconix SUP50N03-5M1P-GE3 MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB

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SUP50N03-5M1P-GE3

MOSFET N-CH 30V 50A TO-220AB

Número de pieza

SUP50N03-5M1P-GE3

Fabricante/Marca

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-220AB

Disipación de energía (máx.)

2.7W (Ta), 59.5W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

30V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

50A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

5.1 mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2780pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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