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VQ1001P
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
Número de pieza
VQ1001P
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
-
Potencia - Máx.
2W
Paquete de dispositivo del proveedor
14-DIP
Tipo FET
4 N-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
830mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 15V
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