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W947D2HBJX5E
IC SDRAM 128MBIT 200MHZ 90TFBGA
Número de pieza
W947D2HBJX5E
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tray
Tecnología
SDRAM - Mobile LPDDR
Temperatura de funcionamiento
-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
90-TFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor
90-VFBGA (8x13)
Suministro de voltaje
1.7 V ~ 1.95 V
Tipo de memoria
Volatile
Tamaño de la memoria
128Mb (4M x 32)
Tiempo de acceso
5ns
Frecuencia de reloj
200MHz
Formato de memoria
DRAM
Tiempo de ciclo de escritura: Word, página
15ns
interfaz de memoria
Parallel
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