Comprar GeneSiC Semiconductor 1N8026-GA DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

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1N8026-GA

DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257

Número de pieza

1N8026-GA

Fabricante/Marca

GeneSiC Semiconductor

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Tube

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-257-3

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-257

Tipo de diodo

Silicon Carbide Schottky

Corriente - Promedio Rectificado (Io)

8A (DC)

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si

1.6V @ 2.5A

Corriente - Fuga inversa @ Vr

10µA @ 1200V

Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)

1200V

Velocidad

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr)

0ns

Temperatura de funcionamiento: unión

-55°C ~ 250°C

Capacitancia @ Vr, F

237pF @ 1V, 1MHz

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