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1N8030-GA
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Número de pieza
1N8030-GA
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-257-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-257
Tipo de diodo
Silicon Carbide Schottky
Corriente - Promedio Rectificado (Io)
750mA
Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si
1.39V @ 750mA
Corriente - Fuga inversa @ Vr
5µA @ 650V
Voltaje - CC inversa (Vr) (máx.)
650V
Velocidad
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0ns
Temperatura de funcionamiento: unión
-55°C ~ 250°C
Capacitancia @ Vr, F
76pF @ 1V, 1MHz
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