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IRF100P218XKMA1

IRF100P218XKMA1

TRENCH_MOSFETS
Número de pieza
IRF100P218XKMA1
Fabricante/Marca
Serie
StrongIRFET™
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-247-3
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-247AC
Disipación de energía (máx.)
556W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
100V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
-
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.28 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
3.8V @ 278µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
555nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
25000pF @ 50V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
6V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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