Comprar Infineon Technologies IRF1010EL MOSFET N-CH 60V 84A TO-262

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

Ver más información Hojas de datos

IRF1010EL

MOSFET N-CH 60V 84A TO-262

Número de pieza

IRF1010EL

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tube

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-262

Disipación de energía (máx.)

200W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

60V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

84A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3210pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 32603 PCS

Información del contacto