Comprar Infineon Technologies IRF1902GTRPBF MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.

IRF1902GTRPBF

MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC

Número de pieza

IRF1902GTRPBF

Fabricante/Marca

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tape & Reel (TR)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paquete de dispositivo del proveedor

8-SO

Disipación de energía (máx.)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

20V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

4.2A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

85 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

700mV @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 15V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

Vgs (máx.)

Solicitud de cotización

Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.

En stock 11641 PCS

Información del contacto