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IXFV110N10P

MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220

Número de pieza

IXFV110N10P

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

PolarHT™ HiPerFET™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete / Estuche

TO-220-3, Short Tab

Paquete de dispositivo del proveedor

PLUS220

Disipación de energía (máx.)

480W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

110A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 4mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3550pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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