La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXFV12N80P
MOSFET N-CH 800V 12A PLUS220
Número de pieza
IXFV12N80P
Fabricante/Marca
Serie
HiPerFET™, PolarHT™
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-220-3, Short Tab
Paquete de dispositivo del proveedor
PLUS220
Disipación de energía (máx.)
360W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
12A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
850 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 27500 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXFV12N80P
IXFV12N80P Componentes electrónicos
IXFV12N80P Ventas
IXFV12N80P Proveedor
IXFV12N80P Distribuidor
IXFV12N80P Tabla de datos
IXFV12N80P Fotos
IXFV12N80P Precio
IXFV12N80P Oferta
IXFV12N80P El precio más bajo
IXFV12N80P Buscar
IXFV12N80P Adquisitivo
IXFV12N80P Chip