Comprar IXYS IXTD1R4N60P 11 MOSFET N-CH 600V

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IXTD1R4N60P 11

MOSFET N-CH 600V

Número de pieza

IXTD1R4N60P 11

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

PolarHV™

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

Die

Paquete de dispositivo del proveedor

Die

Disipación de energía (máx.)

50W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

600V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.4A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

9 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5.5V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

140pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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