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IXTD4N80P-3J
MOSFET N-CH 800
Número de pieza
IXTD4N80P-3J
Fabricante/Marca
Serie
PolarHV™
Estado de la pieza
Last Time Buy
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
Die
Paquete de dispositivo del proveedor
Die
Disipación de energía (máx.)
100W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.6A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
14.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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