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IXTY01N100

MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK

Número de pieza

IXTY01N100

Fabricante/Marca

IXYS

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Cut Tape (CT)

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Paquete de dispositivo del proveedor

TO-252AA

Disipación de energía (máx.)

25W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

100mA (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

80 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4.5V @ 25µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

6.9nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

54pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±20V

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