La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
IXTY01N80
MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA
Número de pieza
IXTY01N80
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-252AA
Disipación de energía (máx.)
25W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
800V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
50 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±20V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 19163 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deIXTY01N80
IXTY01N80 Componentes electrónicos
IXTY01N80 Ventas
IXTY01N80 Proveedor
IXTY01N80 Distribuidor
IXTY01N80 Tabla de datos
IXTY01N80 Fotos
IXTY01N80 Precio
IXTY01N80 Oferta
IXTY01N80 El precio más bajo
IXTY01N80 Buscar
IXTY01N80 Adquisitivo
IXTY01N80 Chip