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IXTY1R4N120PHV
MOSFET N-CH
Número de pieza
IXTY1R4N120PHV
Fabricante/Marca
Serie
Polar™
Estado de la pieza
Active
embalaje
-
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor
TO-252
Disipación de energía (máx.)
86W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.4A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
13 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4.5V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
24.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
666pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
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