Comprar Microsemi Corporation APTM100A13DG MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

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APTM100A13DG

MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6

Número de pieza

APTM100A13DG

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SP6

Potencia - Máx.

1250W

Paquete de dispositivo del proveedor

SP6

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V (1kV)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

65A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 6mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

562nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15200pF @ 25V

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