Comprar Microsemi Corporation APTM100A23SCTG MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

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APTM100A23SCTG

MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4

Número de pieza

APTM100A23SCTG

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SP4

Potencia - Máx.

694W

Paquete de dispositivo del proveedor

SP4

Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Función FET

Silicon Carbide (SiC)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V (1kV)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

36A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

270 mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 5mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

308nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

8700pF @ 25V

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