Comprar Microsemi Corporation APTM100U13SG MOSFET N-CH 1000V 65A J3

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APTM100U13SG

MOSFET N-CH 1000V 65A J3

Número de pieza

APTM100U13SG

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

Estado de la pieza

Discontinued at Digi-Key

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

J3 Module

Paquete de dispositivo del proveedor

Module

Disipación de energía (máx.)

1250W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1000V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

65A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

145 mOhm @ 32.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 10mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

2000nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

31600pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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