Comprar Microsemi Corporation APTM10DHM09T3G MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

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APTM10DHM09T3G

MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Número de pieza

APTM10DHM09T3G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS V®

Estado de la pieza

Obsolete

embalaje

Bulk

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SP3

Potencia - Máx.

390W

Paquete de dispositivo del proveedor

SP3

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

100V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

139A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 69.5A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

4V @ 2.5mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

350nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9875pF @ 25V

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