Comprar Microsemi Corporation APTM120DA30CT1G MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

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APTM120DA30CT1G

MOSFET N-CH 1200V 31A SP1

Número de pieza

APTM120DA30CT1G

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 8™

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SP1

Paquete de dispositivo del proveedor

SP1

Disipación de energía (máx.)

657W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1200V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

31A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 2.5mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

560nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14560pF @ 25V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

10V

Vgs (máx.)

±30V

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