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APTM120DA56T1G
MOSFET N-CH 1200V 18A SP1
Número de pieza
APTM120DA56T1G
Estado de la pieza
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete de dispositivo del proveedor
SP1
Disipación de energía (máx.)
390W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
18A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
672 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7736pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
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Palabras clave deAPTM120DA56T1G
APTM120DA56T1G Componentes electrónicos
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