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APTM120H140FT1G
MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
Número de pieza
APTM120H140FT1G
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SP1
Potencia - Máx.
208W
Paquete de dispositivo del proveedor
SP1
Tipo FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
8A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
1.68 Ohm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
145nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3812pF @ 25V
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