Comprar Microsemi Corporation APTM120H29FG MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

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APTM120H29FG

MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

Número de pieza

APTM120H29FG

Fabricante/Marca

Microsemi Corporation

Serie

POWER MOS 7®

Estado de la pieza

Active

embalaje

Bulk

Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Chassis Mount

Paquete / Estuche

SP6

Potencia - Máx.

780W

Paquete de dispositivo del proveedor

SP6

Tipo FET

4 N-Channel (H-Bridge)

Función FET

Standard

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

1200V (1.2kV)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

34A

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

348 mOhm @ 17A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

5V @ 5mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

374nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10300pF @ 25V

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