La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
APTM120U10DAG

APTM120U10DAG

MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Número de pieza
APTM120U10DAG
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Bulk
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
SP6
Paquete de dispositivo del proveedor
SP6
Disipación de energía (máx.)
3290W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
160A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 20mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1100nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
28900pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 36983 PCS
Información del contacto
Palabras clave deAPTM120U10DAG
APTM120U10DAG Componentes electrónicos
APTM120U10DAG Ventas
APTM120U10DAG Proveedor
APTM120U10DAG Distribuidor
APTM120U10DAG Tabla de datos
APTM120U10DAG Fotos
APTM120U10DAG Precio
APTM120U10DAG Oferta
APTM120U10DAG El precio más bajo
APTM120U10DAG Buscar
APTM120U10DAG Adquisitivo
APTM120U10DAG Chip