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PMXB120EPEZ
MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
Número de pieza
PMXB120EPEZ
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-XDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
DFN1010D-3
Disipación de energía (máx.)
400mW (Ta), 8.3W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2.4A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
309pF @ 15V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4.5V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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