Comprar Nexperia USA Inc. PMXB360ENEAZ MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

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Hojas de datos

PMXB360ENEAZ

MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Número de pieza

PMXB360ENEAZ

Fabricante/Marca

Nexperia USA Inc.

Serie

Estado de la pieza

Active

embalaje

Digi-Reel®

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete / Estuche

3-XDFN Exposed Pad

Paquete de dispositivo del proveedor

DFN1010D-3

Disipación de energía (máx.)

400mW (Ta), 6.25W (Tc)

Tipo FET

N-Channel

Función FET

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)

80V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C

1.1A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.

2.7V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds

130pF @ 40V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)

4.5V, 10V

Vgs (máx.)

±20V

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