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PMXB65UPEZ
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
Número de pieza
PMXB65UPEZ
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Cut Tape (CT)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
3-XDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor
DFN1010D-3
Disipación de energía (máx.)
317mW (Ta), 8.33W (Tc)
Tipo FET
P-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
3.2A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
72 mOhm @ 3.2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
634pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.2V, 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
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