La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQU10N20CTU
MOSFET N-CH 200V 7.8A IPAK
Número de pieza
FQU10N20CTU
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I-PAK
Disipación de energía (máx.)
50W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
7.8A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 46783 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQU10N20CTU
FQU10N20CTU Componentes electrónicos
FQU10N20CTU Ventas
FQU10N20CTU Proveedor
FQU10N20CTU Distribuidor
FQU10N20CTU Tabla de datos
FQU10N20CTU Fotos
FQU10N20CTU Precio
FQU10N20CTU Oferta
FQU10N20CTU El precio más bajo
FQU10N20CTU Buscar
FQU10N20CTU Adquisitivo
FQU10N20CTU Chip