La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
FQU12N20TU
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Número de pieza
FQU12N20TU
Fabricante/Marca
Serie
QFET®
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tube
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Estuche
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor
I-PAK
Disipación de energía (máx.)
2.5W (Ta), 55W (Tc)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
-
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
200V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
910pF @ 25V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
10V
Vgs (máx.)
±30V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 25621 PCS
Información del contacto
Productos relacionados
Palabras clave deFQU12N20TU
FQU12N20TU Componentes electrónicos
FQU12N20TU Ventas
FQU12N20TU Proveedor
FQU12N20TU Distribuidor
FQU12N20TU Tabla de datos
FQU12N20TU Fotos
FQU12N20TU Precio
FQU12N20TU Oferta
FQU12N20TU El precio más bajo
FQU12N20TU Buscar
FQU12N20TU Adquisitivo
FQU12N20TU Chip