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QJD1210010
MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Número de pieza
QJD1210010
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Bulk
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
Module
Potencia - Máx.
1080W
Paquete de dispositivo del proveedor
Module
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
5V @ 10mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
10200pF @ 800V
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