La imagen puede ser una representación.
Consulte las especificaciones para obtener detalles del producto.
QJD1210SA2

QJD1210SA2

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Número de pieza
QJD1210SA2
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Obsolete
embalaje
Bulk
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Chassis Mount
Paquete / Estuche
Module
Potencia - Máx.
415W
Paquete de dispositivo del proveedor
Module
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Standard
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
100A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 100A, 15V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1.6V @ 34mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
330nC @ 15V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
8200pF @ 10V
Solicitud de cotización
Complete todos los campos obligatorios y haga clic en "ENVIAR", nos comunicaremos con usted en 12 horas por correo electrónico. Si tiene algún problema, deje mensajes o envíe un correo electrónico a [email protected], le responderemos lo antes posible.
En stock 26068 PCS
Información del contacto
Palabras clave deQJD1210SA2
QJD1210SA2 Componentes electrónicos
QJD1210SA2 Ventas
QJD1210SA2 Proveedor
QJD1210SA2 Distribuidor
QJD1210SA2 Tabla de datos
QJD1210SA2 Fotos
QJD1210SA2 Precio
QJD1210SA2 Oferta
QJD1210SA2 El precio más bajo
QJD1210SA2 Buscar
QJD1210SA2 Adquisitivo
QJD1210SA2 Chip