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ES6U1T2R
MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor
6-WEMT
Disipación de energía (máx.)
700mW (Ta)
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.3A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
2.4nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 6V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
1.5V, 4.5V
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