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ES6U3T2CR
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Número de pieza
ES6U3T2CR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor
6-WEMT
Disipación de energía (máx.)
700mW (Ta)
Tipo FET
N-Channel
Función FET
Schottky Diode (Isolated)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
30V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
1.4A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
2.5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
1.4nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
70pF @ 10V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)
4V, 10V
Vgs (máx.)
±20V
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