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QS6J11TR
MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Número de pieza
QS6J11TR
Fabricante/Marca
Serie
-
Estado de la pieza
Active
embalaje
Tape & Reel (TR)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Estuche
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Potencia - Máx.
600mW
Paquete de dispositivo del proveedor
TSMT6 (SC-95)
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)
12V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C
2A
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.
1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
770pF @ 6V
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